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信息来源：本站 日期：2019-01-08
此功率MOSFET是采用SL半高级平面条纹DMOS工艺生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的性能开关性能好，在雪崩和整流模式下能够承受高能量的脉冲。这些是适用于高效率的开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
RDS(on)=1.4ωVGS=10V
低栅电荷（典型的27Nc）
高韧性
快速切换
100%雪崩试验
改进的dv/dt性能
型号：KIA人对机
工作方式：人对机
漏源极电压：800V
栅源电压：±30V
二极管峰值恢复：4.5V/ns
运行和储存温度范围：-55℃至+150℃
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