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信息来源：本站 日期：2019-03-27
MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电阻越小越好，因为这是牺牲其它性能获得的。但是一般mos管额定电流越大,额定导通电阻也就越小。
亚娱体育直播网望98db in 亚娱体育直播网望98db in 亚娱体育直播网望98db in选型表如下：
| Part Numbe | ID（ A ） | BVDSS（ v ） | Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） | MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） | ciss |
| pF | |||||
| KIA30N06B | 25 | 60 | 0.025 | 0.03 | 1345 |
| KNX8606A | 35 | 60 | 0.012 | 0.02 | 2423 |
| KIA50N06B | 50 | 60 | 0.0105 | 0.012 | 2060 |
| KIA50N06C | 50 | 60 | 0.009 | 0.012 | 2180 |
| KNX3706A | 50 | 60 | 0.009 | 0.012 | 2180 |
| KIA3506A | 70 | 60 | 0.0065 | 0.008 | 3483 |
| KNX3406A | 80 | 60 | 0.0065 | 0.0085 | 6050 |
| KNX3306A | 80 | 60 | 0.007 | 0.0085 | 3390 |
| KNX3306B | 80 | 60 | 0.007 | 0.008 | 3080 |
| KNX3206A | 110 | 60 | 0.0065 | 0.008 | 3400 |
| KIA3205S | 130 | 60 | 0.0055 | 0.007 | 3100 |
| KIA2906A | 130 | 60 | 0.0055 | 0.007 | 3100 |
| KIA2806A | 160 | 60 | 0.0035 | 0.0045 | 4376 |
| KNX1906B | 230 | 60 | 0.0027 | 0.0035 | 6110 |
| KNX3508A | 70 | 80 | 0.0095 | 0.011 | 2900 |
| KNX3308A | 80 | 80 | 0.0062 | 0.009 | 3110 |
| KNX3308B | 80 | 80 | 0.0072 | 0.009 | 3650 |
| KIA75NF75 | 80 | 80 | 0.007 | 0.009 | 3110 |
| KNX2808A | 150 | 80 | 0.004 | 0.005 | 6109 |
| KNX2708A | 160 | 80 | 0.004 | 0.0048 | 9300 |
| KNC2208A | 200 | 80 | 0.0035 | 0.004 | 6109 |
| KNX3208A | 100 | 85 | 0.0065 | 0.008 | 3420 |
| KNX2908A | 130 | 85 | 0.005 | 0.006 | 5000 |
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1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.可以用作可变电阻。
4.可以方便地用作恒流源。
5.可以用作电子开关。
6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。
mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。
1.判断栅极G
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判断源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）
在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
测试步骤：
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下：
假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好
2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
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