Crss:反Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

效应时刻（开关时刻）Ton/off=Qgd/Ig；

第1种：（第1种的变形）

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）

Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻

td(on)：MOS导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时刻。

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

其间：

Ig=Qg/Ton

能够运用如下公式估算：

第2种:

假设两种Vod都大于零，阐明晶体管沟道全开，也即是处于线性区。只要一种Vod大于零，阐明晶体管沟道半开（在DS恣意一端没打开有夹断），也即是处于饱满区。

Vod2=Vds-Vth；

Vod1=Vgs-Vth；

3）假设能够愈加深化了解的话，能够领会到过驱动电压不单单合用于指代Vgs，也合用于指代Vgd。即

2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也即是说，能够运用过驱动电压来核算饱满区的电流。

1）只要在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会构成，MOS管才会作业。也即是说，能够运用过驱动电压来断定晶体管是不是导通。

MOS驱动 电压Vod=Vgs-Vth。能够了解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压巨细。

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