万盈镇邮编 万盈镇邮编规格书详情-MOS管原厂 提供免费送样-pinnacle平博体育开户8
信息来源：本站 日期：2019-05-14
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这个先进的技术是KIA半导体特别定制，以尽量减少通态电阻，提供优越的开关性能，能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些设备非常适合高效率开关电源、功率因数校正、基于半桥拓扑。
型号：万盈镇邮编
工作方式：万盈镇邮编
漏源电压：150V
栅源电压:±20V
漏电流连续：12A
脉冲漏电流:50A
总功耗:55W
漏源击穿电压:150V
输入电容：900pF
输出电容：115pF
反向转移电容：70pF
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