mos器件漏极偏压详解原因 n沟道MOSFET
信息来源:本站 日期:2017-07-06
MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向.在集成电路中,较小的器件尺寸可到达较高的器件密度,此外,较短的沟道长度町改善驱动电流(ID~1/L)以及工作时的特性,但是,由于 电子器件 尺寸的缩减,沟道边缘(如源极、漏极及绝缘区边缘)的扰动将变得愈加重要,因而器件的特性将不再恪守长沟道近似的假定.
当器件尺寸缩减时,必需将短沟道效应降至最低水平,以确保正常的器件特性及电路工作,在器件按比例减少设计叫需求一些原则,一个扼要维持长沟道特性的办法为将一切的尺寸及电压,除上一按比例减少要素k(>1),如此内部电场将坚持好像长 n沟道MOSFET 普通,此办法称为定电场按比例减少.
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