KIA 50N03特征

先进沟槽加工技术

超低电阻高密度电池设计

充分表征雪崩电压和电流

应用参数：

VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A

Vds=30V

RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A

RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A

产品名称：KIA 50N03

FET极性：N沟道

漏源电压(vdss):30V

栅源电压（vgss)：±20V

连续漏电流：（ld）：50A

脉冲漏极电流：200A

耗散功率（pd）：60W

漏源击穿电压：30V

栅极阈值电压（Max）：±100nA

封装：TO-251、TO-252、TO-220

	50N03（50A 30V）
产品编号	KIA50N03/AD/AU
产品特征	先进沟槽加工技术超低电阻高密度电池设计充分表征雪崩电压和电流
封装形式	TO-251、TO-252、TO-220
PDF文件	【直接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	www.pinnacle27.sbs
PDF总页数	总3页