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功率MOSFET的设计采用沟槽布局为基础的工艺。与不同来源的标准零件相比，提高了性能。MOSFET在开关稳压器的设计，应用开关变换器、电机、继电器高功率和低栅极驱动的高功率双极开关晶体管驱动器和驱动器功率。

特征

VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A

超低电阻

动态分级

175°C工作温度

快速切换

全额定雪崩

产品型号：KIA3710

工作方式：59A/100V

漏源电压：100V

栅源电压：±20V

脉冲漏极电流：240A

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：100V

温度系数：0.10V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：2990 PF

输出电容：3000 PF

上升时间：60 ns

封装形式：TO-220、TO-263

	KIA3710（59A/100V）
产品编号	KIA3710/B/Z/ZP
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET的设计采用沟槽布局为基础的工艺。与不同来源的标准零件相比，提高了性能。
产品特征	VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A 超低电阻动态分级 175°C工作温度快速切换全额定雪崩
适用范围	MOSFET在开关稳压器的设计，应用开关变换器、电机、继电器高功率和低栅极驱动的高功率双极开关晶体管驱动器和驱动器功率。
封装形式	TO-220、TO-263
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.pinnacle27.sbs