KIA30N03参数

kia30n03b性能最高的N沟道MOSFET沟道与极端的高密度，为大多数的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷，kia30n03b符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS保证全功能可靠性的批准。

KIA30N03特征

RDS（ON）= 15m?@ V DS = 30v

先进的高密度沟槽技术

超级Low Gate Charge

优良的CDV / dt效应递减

100% EAS保证

绿色的可用设备

KIA30N03应用

MB /铌/注意/ VGA负载同步Buck变换器高频点

网络化DC-DC电源系统

负荷开关

产品型号：kia30n03

工作方式：30A/30V

漏源电压：30V

栅源电压：±20V

漏电流连续：30A

脉冲漏极电流：60A

雪崩能量：72mJ

耗散功率：25W

热电阻：25℃/W

漏源击穿电压：30V

温度系数：0.023V/℃

栅极阈值电压：1.0V

输入电容：572 PF

输出电容：81 PF

上升时间：9.8 ns

封装形式：TO-251、TO-252

	KIA30N03（30A 30V）
产品编号	KIA30N03/BD
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	kia30n03b性能最高的N沟道MOSFET沟道与极端的高密度，为大多数的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷，kia30n03b符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS保证全功能可靠性的批准。
适用范围	主要适用于MB /铌/注意/ VGA负载同步Buck变换器高频点 网络化DC-DC电源系统 负荷开关
封装形式	TO-251、TO-252
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.pinnacle27.sbs
PDF总页数	总5页

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

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