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7610a采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。该设计的其他特点是175℃结工作温度、快速开关速度和提高的重复雪崩额定值。这些特征结合在一起，使得该设计成为一种非常有效和可靠的装置，用于DC - DC转换器和离线UPS以及各种各样的其它装置申请。

KIA7410特征

RDS(on) =32mΩ

低导通电阻

快速切换

100 %雪崩测试

允许重复雪崩达到最大值

自由电子邮件，符合RoHS要求

KIA7410参数

产品型号：KIA7115

工作方式：20A/150V

漏源电压：150V

栅源电压：±20V

漏电流连续：14A

脉冲漏极电流：40A

雪崩电流：18A

雪崩能量：53mJ

耗散功率：72.6W

热电阻：60℃/W

漏源击穿电压：150V

栅极阈值电压：1.2V

输入电容：2285PF

输出电容：110PF

上升时间：8.2 ns

封装形式：TO-251、TO-252

	KIA7610/AD/AU
产品编号	KIA7610（25A 100V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	7610a采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。该设计的其他特点是175℃结工作温度、快速开关速度和提高的重复雪崩额定值。这些特征结合在一起，使得该设计成为一种非常有效和可靠的装置
产品特征	RDS(on) =32mΩ 低导通电阻快速切换 100 %雪崩测试允许重复雪崩达到最大值自由电子邮件，符合RoHS要求
适用范围	DC - DC转换器和离线UPS以及各种各样的其它装置申请
封装形式	TO-251、TO-252
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.pinnacle27.sbs
PDF页总数	总6页