MOS管构成的存储矩阵-ROM与RAM重点分析-pinnacle平博体育开户8
信息来源：本站 日期：2018-02-28
半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。按存储功能可分为只读存储器(ROM)和随机存储器（RAM）
只读存储器按写入方式一般分为三种：固定内容ROM、可编程ROM和可擦除型的EPROM
ROM的基本结构如图所示
地址译码器相当于最小项译码器。而存储单元是由N沟道增强型MOS管构成的，可以理解为有MOS管存在，则其单元内存储的信息为1。
地址译码器相当于“与逻辑矩阵”，ROM 存储矩阵相当于“或逻辑矩阵”，整个存储器是一个“与或”矩阵。一般情况下，“与矩阵”是不可编程，而“或矩阵”是可编程的。
若ROM有n条地址线，m条位线，则ROM矩阵的存储容量等于2n×m。
简单了解掩模ROM、PROM、EPROM、E2PROM和快闪存储器(Flash Memory)的功能，不做重点。
EEPROM典型芯片2864A的芯片引脚如图所示
A0～A12为地址译码输入端，I/O0~I/O7为8位数据输入输出端，CE为片选端，为写使能端，为读使能端。2864A共有213条字线，8条位线，其 存储容量为213×8bit(8K byte)。
EEPROM 2864的工作方式如图所示
此外Flash Memory芯片的引脚图和工作方式也要理解掌握。
RAM按工作原理分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM。
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ROM的基本结构和工作方式如图所示
SRAM和DRAM的结构和功能对比
SRAM:以触发器为基本存储单元，所以只要不掉电，其所存信息就不会丢失。该类芯片的集成度不如DRAM， 功耗也比DRAM高，但它的速度比DRAM快，也不需要刷新信发国际彩票稳赢吗是真的吗。一般用于构成高速缓冲存储器 。
DRAM:一般用MOS型动态存储单元构成，结构简单，集成度高。但是，如果不及时进行刷新，极间电容中的电 荷会在很短时间内自然泄漏，致使信息丢失。所以，必须为它配备专门的刷新信发国际彩票稳赢吗是真的吗。
2、DRAM的刷新方式有三种，了解就好，不做重点。
61LV25616芯片的引脚图和功能表如图所示
地址线为18根A0～A17，I/O0～I/O15为16位写入/读出数据线，其容量为218×16 bit=256k×16 bit
1、 位数的扩展
适用于每片RAM或ROM字数够用而位数不够时。
接法：将各片对应的地址线、片选端、读写控制端分别接在一起，各片的数据输出端并行使用即可。
例：用2片2114(1024×4bit)RAM构成1024×8bit的RAM
2、数够用而字数不够时
接法：将各片对应的地址线、读写控制端和数据输出端分别接在一起，各片的片选信号由附加地址位译出。
例: 用2片2114(1024×4bit)RAM构成2048×4bit的RAM
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