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KIA35P10A 全新原装正品 -35A/-100V P沟道 PDF文件-pinnacle平博体育开户8

信息来源:本站 日期:2018-04-28

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KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术,提供优良的RDS(ON)和栅极。用于各种各样的应用中的电荷。KIA35P10A满足RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证全功能可靠性批准。

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RDS(on) =42mΩ(typ) @ VGS=10V

100% EAS保证

可用绿色设备

超低栅电荷

优良的CDV/DT效应下降

先进的高密度沟槽技术


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产品型号:KIA35P10A

工作方式:-35A /-100V

漏源电压:-100V

栅源电压:±20V

漏电流连续:-35A

脉冲漏极电流:-100A

雪崩电流:28A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

热电阻:62℃/V

漏源击穿电压:-100V

温度系数:

栅极阈值电压:-1.2V

输入电容:4920PF

输出电容:223PF

上升时间:32.2ns

封装形式:TO-252


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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KIA35P10A

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