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万博网页网址导航怎么设置大全-逆变器采用场效应管MOSFET选型指南-pinnacle平博体育开户8

信息来源:本站 日期:2018-05-26

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Part Numbe

ID A

VDSS V

RDS ON )(Ω)

ciss

专用

pF

KIA50N06

50

60

12.5

2060

防反接保护

KNP9120

40

200

65

2800

防反接保护

KIA75NF75

80

80

9

3100

防反接保护

KNP9120

40

200

65

2800

前级

KIA3205S

130

60

7

3100

前级

KIA2806A

160

60

4.5

4376

前级

KIA2808

150

80

4.5

6109

前级

KIA75NF75

80

80

9

3110

前级

KIA730

6

400

1000

520

后级

KNP6140

10

400

500

1254

后级

KIA13N50H

13

500

480

1600

后级

KIA16N50H

16

500

380

2200

后级

KIA18N50H

18

500

320

2500

后级

KIA20N50H

20

500

260

2700

后级

KIA20N40H

20

400

250

2135

后级

KNH8150

30

500

200

4150

后级

KIA8N60H

7.5

600

1.2

1300

KIA740

10

400

0.5

1254

KIA2906A

130

60

0.007

3100

KIA10N60H

9.5

600

0.73

1570

KIA10N65H

10

650

0.75

1650

KIA10N80H

10

800

1.1

2230

KIA12N60H

12

600

0.65

1850

KIA12N65H

12

650

0.75

1850

备注:标注的Id电流是MOS芯片的最大电流,实际使用时的最大电流还要受封装的最大电流限制。客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数


产品特征(KNP9120)

专利新平面技术

R DS(ON)=50mΩ(类型)@V GS=10V

低门电荷减小开关损耗

快速恢复体二极管

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联系方式:邹先生(mos管厂家)

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

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