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信息来源:本站 日期:2018-05-29
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为pinnacle平博体育开户8最新网址。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率 低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,pinnacle平博体育开户8最新网址的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。棋牌优惠活动申请大厅因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因棋牌优惠活动申请大厅电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用棋牌优惠活动申请大厅电路技术。
棋牌优惠活动申请大厅集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。棋牌优惠活动申请大厅集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-棋牌优惠活动申请大厅接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足棋牌优惠活动申请大厅对输入电平的要求。
P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V
如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw
那么mos管不导通,D为0V,
所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。
那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。
GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为5V,G为4V,那么GS=-1V,mos管导通,D为5V
棋牌优惠活动申请大厅管型号选型
Part Numbe | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON)( Ω ) |
KIA23P10A | -23 | -100 | 0.95 |
KIA35P10A | -35 | -100 | 0.055 |
KPD8610A | -35 | -100 | 0.055 |
KIA2301 | -2.8 | -20 | 0.12 |
KIA2305 | -3.5 | -20 | 0.055 |
KIA3401 | -4 | -30 | 0.06 |
KIA3407 | -4.1 | -30 | 0.06 |
KIA3409 | -2.6 | -30 | 0.13 |
KIA3415 | -4 | -16 | 0.045 |
KIA3423 | -2 | -20 | 0.092 |
KIA4953 | -5.3 | -30 | 0.063 |
KIA9435 | -5.3 | -30 | 0.06 |
KIA7P03A | -7.5 | -30 | 0.018 |
KIA4435 | -10.5 | -30 | 0.018 |
联系方式:邹先生(mos管原厂家)
联系电话:0755-83888366-8022
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