P沟道MOS管-夭天彩票下载、参数及工作原理-pinnacle平博体育开户8
信息来源：本站 日期：2018-07-17
① 开启电压VGS(th) (或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通
② 夹断电压VGS(off) (或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零
③ 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流
④ 输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω
⑤ 低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)
⑥ 最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当
| Part Numbe | ID（ A ） | BVDSS（ V ） | RDS（ ON ）（Ω） | Package |
| KIA2301 | -2.8 | -20 | 0.12 | SOT-23 |
| KIA2305 | -3.5 | -20 | 0.055 | SOT-23 |
| KIA3401 | -4 | -30 | 0.06 | SOT-23 |
| KIA3407 | -4.1 | -30 | 0.06 | SOT-23 |
| KIA3409 | -2.6 | -30 | 0.13 | SOT-23 |
| KIA3415 | -4 | -16 | 0.045 | SOT-23 |
| KIA3423 | -2 | -20 | 0.092 | SOT-23 |
| KIA4953 | -5.3 | -30 | 0.063 | SOP-8 |
| KIA9435 | -5.3 | -30 | 0.06 | SOP-8 |
| KIA7P03A | -7.5 | -30 | 0.018 | SOP-8 |
| KIA4435 | -10.5 | -30 | 0.018 | SOP-8 |
| Part Numbe | ID（ A ） | VDSS（ v ） | 内阻（小） | 内阻（大） | ciss | Package | |
| pF | |||||||
| KIA23P10A | -23 | -100 | 0.95 | 0.078 | 3029 | TO-252 | |
| KIA35P10A | -35 | -100 | 0.055 | 0.042 | 4920 | TO-252 | |
| KPD8610A | -35 | -100 | 0.055 | 0.042 | 6516 | TO-252 | |
| Part Numbe | ID（ A ） | VDSS（ v ） | 内阻（小） | 内阻（大） | ciss | Package |
| pF | ||||||
| KIA9N90H | 9 | 900 | 1.4 | 1.12 | 2780 | TO-247 |
| KAI18N50H | 18 | 500 | 0.32 | 0.25 | 2500 | TO-247 |
| KIA20N50H | 20 | 500 | 0.26 | 0.21 | 2700 | TO-247 |
| KIA24N50H | 24 | 500 | 0.2 | 0.16 | 3500 | TO-247 |
| KIA3306A | 80 | 60 | 0.008 | 0.007 | 3390 | TO-247 |
| KNM3308A | 80 | 80 | 0.09 | 0.0062 | 3110 | TO-247 |
| KIA2906A | 130 | 60 | 0.007 | 0.0055 | 3100 | TO-247 |
| KIA2807N | 150 | 75 | 0.006 | 0.005 | 7200 | TO-247 |
| KIA2808A | 150 | 80 | 0.0045 | 0.004 | 6109 | TO-247 |
| KIA2806A | 160 | 40 | 0.0045 | 0.0035 | 4376 | TO-247 |
| KIA2804A | 190 | 60 | 0.0035 | 0.0022 | 4800 | TO-247 |
| KIA2N60H | 2 | 600 | 5 | 4.1 | 200 | TO-220F |
| KIA3N80H | 3 | 800 | 4.8 | 4 | 543 | TO-220F |
| KNF4360A | 4 | 600 | 2.3 | 1.9 | 511 | TO-220F |
| KIA4N60H | 4 | 600 | 2.7 | 2.3 | 500 | TO-220F |
| KIA730H | 6 | 400 | 1 | 0.83 | 520 | TO-220F |
| KIA9N90H | 9 | 900 | 1.4 | 1.12 | 2780 | TO-3P |
| KIA10N80H | 10 | 800 | 1.1 | 0.85 | 2230 | TO-3P |
| KIA16N50H | 16 | 500 | 0.38 | 0.32 | 2200 | TO-3P |
| KIA18N50H | 18 | 500 | 0.32 | 0.25 | 2500 | TO-3P |
| KIA20N40H | 20 | 400 | 0.25 | 0.2 | 2135 | TO-3P |
| KIA20N50H | 20 | 500 | 0.26 | 0.21 | 2700 | TO-3P |
| KIA24N50H | 24 | 500 | 0.2 | 0.16 | 3500 | TO-3P |
| KNH8150A | 30 | 500 | 0.065 | 0.15 | 4150 | TO-3P |
| KNH9120A | 40 | 200 | 0.1 | 0.05 | 2800 | TO-3P |
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。改动栅压可以改动沟道中的电子密度，从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假设N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上恰当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值普通偏高，恳求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)呈现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价钱低价，有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS电路技术。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，固然PMOS可以很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价钱贵，交流种类少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用NMOS。
正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。
1．Ｖds≠Ｏ的情况导电沟道构成以后，ＤＳ间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流Ｉd流通，而且Ｉd随Vds而增加．Ｉd沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄．当Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在漏极左近呈现预夹断．
2．导电沟道的构成（Ｖds＝0）当Vds=0时，在栅源之间加负电压Vgs，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，Ｎ型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，构成耗尽层，随着Ｇ、Ｓ间负电压的增加，耗尽层加宽，当Vgs增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸收到表面，在耗尽层和绝缘层之间构成一个Ｐ型薄层，称反型层，这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的Ｖgs称为开启电压Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用Vgs的大小控制导电沟道的宽度。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
