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信息来源：本站 日期：2019-01-07
此功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制，以尽量减少通态电阻，提供卓越的开关性能好，可承受雪崩和换相模式下的高能脉冲适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
型号：KIA足彩竞彩投注官网S/KIA足彩竞彩投注官网H
工作方式：足彩竞彩投注官网
漏源极电压：900V
排水电流:36A
栅源电压：±30V
单脉冲雪崩能：900MJ
雪崩电流：9.0A
重复雪崩能：28MJ
峰值二极管恢复：4.0V/ns
运行和储存温度范围：-55℃至+150℃
9A，900V
RDS(on)=1.12ωVGS=10V
低门电荷（典型的70纳米）
低Crss（典型的14Pf）
快速切换
100%雪崩试验
改进的数字视频传输能力
1、KIA足彩竞彩投注官网S
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