银行存款合并登记会计分录

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

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强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。

KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。

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（1）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好

（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大

（3）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数

（5）场效应管的抗辐射能力强

（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低

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Part Numbe	ID（ A ）	BVDSS（ v ）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	pF
KNX9120A	40	200	0.05	0.065	2800
KNX9130A	40	300	0.11	0.13	3100
KNX3730A	50	300	0.05	0.065	3400
KIA5N50H	5	500	1.25	1.5	525
KIA840S	8	500	0.7	0.9	960
KIA4750S	9	500	0.7	0.9	960
KNX4850A	9	500	0.7	0.9	960
KNX6450A	13	500	0.4	0.48	2149
KNX6650A	15	500	0.33	0.45	2148
KIA18N50H	18	500	0.25	0.32	2500
KIA20N50H	20	500	0.21	0.26	2700
KIA24N50H	24	500	0.16	0.2	3500
KNX7650A	25	500	0.17	0.21	4280
KNH8150A	30	500	0.15	0.2	4150
KIA10N80H	10	800	0.85	1.1	2230