雪崩,万赢娱乐官网首页入口内置,器件,静电毁坏原因等-pinnacle平博体育开户8
信息来源:本站 日期:2017-09-29
假如在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且到达击穿电压V(BR)DSS (依据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发作毁坏的现象。在介质负载的开关运转断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而招致毁坏的形式会惹起雪崩毁坏。典型电路:
由超出安全区域惹起发热而招致的。发热的缘由分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率缘由:外加直流功率而招致的损耗惹起的发热
●导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,招致一定电流下,功耗增加)
●由漏电流IDSS惹起的损耗(和其他损耗相比极小)瞬态功率缘由:外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗(接通、断开) *(与温度和工作频率是相关的)
●内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)器件正常运转时不发作的负载短路等惹起的过电流,形成瞬时部分发热而招致毁坏。
另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度招致热击穿的毁坏。
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