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信息来源：本站 日期：2024-11-18
MOSFET的开关驱动过程，可以理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。
由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）
米勒效应是由MOS管的米勒电容引发的，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS管不能很快得进入开关状态）
所以就出现了所谓的图腾驱动。选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。
MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志。
用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。
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理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。
下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。
栅荷系数的这张图 在第一个转折点处：Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在Vgs处产生一个平台。
米勒平台是由于mos 的g d 两端的电容引起的，即mos datasheet里的Crss 。
这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平的时候，Vgs才开始继续上升。
Cgd在mos刚开通的时候，通过mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台。
增加驱动电路中的电容：
在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应，但这样做会延长开关时间。
选择Cgd小的MOS管：
在选择MOS管时，尽量选择Cgd较小的器件，这有助于减少米勒平台的影响。
缩短驱动信号布线长度：
减少寄生电感导致的米勒平台震荡电压过冲，并选择合适的栅极驱动电阻。
使用合适的门极驱动电阻：
通过选择合适的门极驱动电阻RG来减缓米勒效应的影响。
在GS端并联电容：
虽然会增加驱动损耗，但可以有效抑制寄生电压，防止米勒平台震荡。
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