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信息来源：本站 日期：2019-01-17
此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
型号：KNX星光公主的水晶时代3免费阅读
工作方式：星光公主的水晶时代3免费阅读
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
接头和储存温度范围:-55℃至+175℃
RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V
增强的dv/dt能力
快速切换
绿色设备可用
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