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信息来源:本站 日期:2019-01-22

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VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A

Vds=30V

RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A

RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A


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先进沟槽加工技术

超低电阻高密度电池设计

充分表征雪崩电压和电流


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产品型号:KIA王者赌注比赛网站官网

工作方式:王者赌注比赛网站官网

漏源电压:30V

栅源电压:±20A

漏电流连续:50A

脉冲漏极电流:200A

耗散功率:60W

热电阻:50℃/W

漏源击穿电压:30V

栅极阈值电压:1V

输入电容:1180PF

输出电容:270PF

上升时间:6ns

封装形式:TO-251、252/220


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