万亿国际app-图文读懂MOS管规格书每一个MOS参数-pinnacle平博体育开户8
信息来源：本站 日期：2019-04-02
在了解万亿国际app之前，先来看看mos管的每一个参数代表什么及说明，mos管除了G、S、D引脚和N沟道mos管和P沟道mos管之外还有很多具体的参数，每个详细参数如下：
Rds(on)----------DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id------------------最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs----------------最大GS电压.一般为：-40V~+40V
Idm---------------最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作结温，通常为150度和175度
Tstg---------------最大存储温度
Iar-----------------雪崩电流
Ear---------------重复雪崩击穿能量
Eas---------------单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss------------DS击穿电压
Idss---------------饱和DS电流，uA级的电流
Igss---------------GS驱动电流，nA级的电流.
gfs----------------跨导
Qg----------------G总充电电量
Qgs--------------GS充电电量
Qgd-------------GD充电电量
Td(on)---------导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr----------------上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off)----------关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf-----------------下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间
Ciss---------------输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss--------------输出电容，Coss=Cds +Cgd.
Crss---------------反向传输电容，Crss=Cgc.
说明：MOS管漏极和源极最大耐压值。
测试条件：在Vgs=0V，栅极和源极不给电压。
影响：超过的话会让MOSFET损坏。
说明：ID的漏电流。
测试条件：在Vgs=0V，在漏极和源极两端给48V的电压。
影响：漏电流越大功耗越大。
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说明：栅极漏电流
测试条件：在Vgs=+-20V，在漏极和源极两端不给电压。
说明：开启电压
测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响：低于参考值可能出现不导通现象，设计时需要考虑范围值。
说明：完全开启，漏极和源极两端最大过电流30A，
测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响：低于参考值可能出现不导通现象，设计时需要考虑范围值。
说明：导通时，Vds的内阻
测试条件：在Vgs=10V，通过12A的电流；Vgs=4.5V，通过6A的电流，在漏极和源极两端的内阻。
影响：内阻越小，MOS过的电流越大，相同电流下，功耗越小。
说明：跨导的单位是A/V。是源极电流Id比上栅极电压Vgs，是栅极电压对源极电流的控制作用大小，
跨导：
线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ，其中g是常数系数。系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。 这个电路单元通常指放大器。
在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。
说明：MOS管体二极管的正向导通压降
测试条件：在VGS=0V，体二极管正向通过1A的电流。
说明：体二极管可承受最大连续续电流
测试条件：
影响：如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP，OLP（逐周期电流限制保护（OCP)，限制最大输出电流；过载保护(OLP)，限制最大输出功率；的过程中会引起电流击穿的风险
说明：
Ciss=Cgs+Cgd 输入电容
Coss=Cds+Cgd 输出电容
Crss=Cgd（米勒电容）
影响：Ciss：影响到MOS管的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通和关断时间就越慢，开关损坏也就越大。较慢的开关速度对应会带来较好的EMI
Coss和Crss：这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能力的大小，对雷击测试项目有一点的影响。
说明：
Qg：栅极总充电电量
Qgs：栅极充电电量
Qgd：栅极充电电量
tD（on）：漏源导通延迟时间
tr:漏源电路上升时间
tD（off）：漏源关断延迟时间
tf:漏源电路下降时间
影响：参数与时间相互关联的参数，开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高。
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
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