5N60现货供应商 5N60参数中文资料 5N60参数配置对比
信息来源：本站 日期：2018-01-13
N沟道增强型功率场效应晶体管是使用起亚的。有平面的DMOS工艺。这种先进技术特别适合于最小化。在状态电阻方面，提供优越的开关性能，并能承受高能量脉冲。雪崩换相模式。这些器件非常适合于高效率的开关模式电源。基于半桥的电源和电子镇流器。
特征
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反馈电容（典型值8.0pf）
低栅极电荷（典型值高= 16nc）
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
符合RoHS
参数
产品编号：KIA 5N60
系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（连续）（id）：5
最高结温（Tj），℃：150
上升时间（tr）：42
输出电容（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
封装形式：TO-220、TO-220F等
| | 4N60 |
| 描述 | 5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET |
| 适用范围 | 开关电源、逆变器等 |
| PDF文件
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| LOGO | |
| 厂家 | |
| 网址 | |
| PDF页数 | 总7页 |
联系方式：邹先生（KIA MOS管）
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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